RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
66
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2786
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link