RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
66
Rund um -78% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.1
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
9.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
7.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2046
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link