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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
66
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,978.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
7.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2208
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
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