RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
66
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
2763
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link