RAM-Vergleich SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Gesamtnote

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,978.2 18.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 66

Rund um -267% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.4 2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

511 3529

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns