RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
66
Rund um -136% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
18.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3890
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5428-065.A00LF 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link