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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
59
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.1
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
11.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
6.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
1254
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
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