RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
59
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
19.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
16.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
4012
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link