RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
59
Rund um -51% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
12.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2958
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link