RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
59
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
15.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
3716
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link