RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
59
Rund um -127% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2486
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link