RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
59
Rund um -23% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2196
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link