RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
59
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2590
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link