RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
59
Rund um -51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
2,076.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
1768
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link