RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
59
Rund um -90% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
10.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2585
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link