RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
16.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
59
Rund um -119% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
16.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
3909
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link