RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
62
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
1,658.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,216.7
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,658.4
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
3143
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link