RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
62
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.1
1,658.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,216.7
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,658.4
14.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
2995
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link