RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
62
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,658.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,216.7
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,658.4
10.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
2581
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link