RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB vs Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
62
Rund um -38% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
1,658.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,216.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,658.4
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
688
2925
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link