RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
68
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.8
2,013.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,402.8
14.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
701
2483
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link