RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
68
Rund um -209% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,402.8
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
701
3261
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link