SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,013.5 left arrow 11.5
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    39 left arrow 68
    Rund um -74% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 6400
    Rund um 3.33 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    68 left arrow 39
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,402.8 left arrow 15.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,013.5 left arrow 11.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    701 left arrow 2264
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche