RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
60
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,381.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
9.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
2932
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link