RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
60
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
3147
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link