RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
71
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
15
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
2,381.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
6.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
1616
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link