RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
60
Rund um -161% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
14.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
3156
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link