RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
63
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,381.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
63
Lesegeschwindigkeit, GB/s
5,082.2
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,381.6
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
925
1932
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link