RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
14.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3258
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link