RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3367
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link