RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
44
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2875
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Kingston 9905403-181.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link