RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
15.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3717
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 5641160 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link