RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3199
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link