RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
44
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8,883.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2462
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link