RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
44
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
11.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2698
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link