RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
44
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2527
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link