RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
44
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
8,883.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
9.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2451
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link