RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
44
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
2889
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link