RAM-Vergleich SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Gesamtnote

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 17.2

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,303.7 13.0

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 117

Rund um -409% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 5300

Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

784 3004

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns