RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
83
117
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
2,303.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
117
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,094.8
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,303.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
1774
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link