RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
22.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
63
Rund um -110% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,583.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,895.6
22.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,583.7
16.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
639
3697
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link