RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
63
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,583.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,895.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,583.7
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
639
2960
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link