RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
63
Rund um -125% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,583.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,895.6
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,583.7
6.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
639
2312
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link