RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
35
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
7.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1570
3606
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM-Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link