Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Gesamtnote
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Gesamtnote
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 16.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3,071.4 left arrow 13.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 70
    Rund um -133% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 6400
    Rund um 2.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    70 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,372.7 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3,071.4 left arrow 13.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    668 left arrow 3257
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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