RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
70
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3273
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link