RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
70
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
3505
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link