RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
70
Rund um -169% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2382
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link