RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
70
Rund um -79% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
3,071.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
9.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1881
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link