RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Vergleichen Sie
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Gesamtnote
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
70
Rund um -159% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
3,071.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
70
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,372.7
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3,071.4
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2193
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM-Vergleiche
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
King Tiger Technology Tigo-1600Mhz-8G 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link